В корзине единиц товара: 0.
Оформить заказ
Главная »  Каталог продукции »  Транзисторы »  Транзисторы высокочастотные полевые
Для совершения покупки, просмотра цен и количества товара на складе, Вам необходимо зарегистрироваться

Транзисторы / Транзисторы высокочастотные полевые

Применить фильтры
  • Напряжение
    Не важно
      1.50 V
      2.00 V
      2.70 V
      4.00 V
      4.50 V
      4.80 V
      5.00 V
      5.50 V
      6.00 V
      7.00 V
      7.50 V
      8.00 V
      12.00 V
      12.50 V
      15.00 V
      26.00 V
      28.00 V
      30.00 V
      32.00 V
      65.00 V
      89.00 V
    (сбросить фильтр)
  • Ток
    Не важно
      0.08 A
      0.09 A
      0.10 mkA
      0.10 A
      0.11 A
      0.13 A
      0.15 A
      0.27 A
      0.30 A
      0.40 A
      0.60 A
      0.65 A
      0.75 A
      1.10 A
      1.18 A
      1.50 A
      2.20 A
      3.00 A
      4.00 A
      5.00 A
      40.00 mA
      50.00 mA
      60.00 mA
      100.00 mA
      130.00 mA
      200.00 mA
    (сбросить фильтр)
Артикул Изображение Наименование Производитель Примечание Документы
Наличие на складе Цена с НДС, USD Кол-во
10042 EPA018A-70 Excelics "Транз. Пол. СВЧ GaAs PHEMT; DC-18GHz; P70;( P1dB=20,0 dBm, G1dB=13,5 dB, Idss=30..80 mA; PAE=45% @ 12GHz)"
  • 1:
  • 9.2500
  • 10:
  • 8.4000
  • 100:
  • 7.8000
  • 1000:
  • ?
  • Мин.:
  • 1
  • Кратн.:
  • 1
10043 EPA240B-100P Excelics "Транз. Пол. СВЧ GaAs PHEMT; DC-18GHz; P100;( P1dB=32,5 dBm, G1dB=10,5 dB, Idss=440...940 mA; PAE=44% @ 12GHz)"
  • 1:
  • 89.8000
  • 10:
  • 84.7200
  • 100:
  • 79.2000
  • 1000:
  • ?
  • Мин.:
  • 1
  • Кратн.:
  • 1
10236 EPA160A-100P Excelics "Транз. Пол. СВЧ GaAs PHEMT; DC-18GHz; P100;( P1dB=31 dBm, G1dB=11,5 dB, Idss=290...660 mA; PAE=41% @ 12GHz)"
  • 1:
  • 89.9000
  • 10:
  • 81.7300
  • 100:
  • 75.6800
  • 1000:
  • ?
  • Мин.:
  • 1
  • Кратн.:
  • 1
10318 ATF-36077-STR Agilent "Транз. Пол. СВЧ GaAs PHEMT; 2-18GHz; 77; @(12.0 GHz, 1.5V, 10 mA): P-1dB=5.0 dBm, G-1dB=12.0 dB, IP3=, Nf=0.5 dB; Idss=15..45 mA; PAE="
  • 1:
  • 5.3200
  • 10:
  • 4.8400
  • 100:
  • 4.4000
  • 1000:
  • ?
  • Мин.:
  • 1
  • Кратн.:
  • 1
10508 PTF080101M Infineon Транз. Пол. БМ ВЧ LDMOS PG-RFP-10 (TSSOP10 SMD) 10 W, 450-960 MHz Udss=65V Id=0.001A Rds=0.83Ohm
  • 1:
  • 23.6000
  • 10:
  • 21.4500
  • 100:
  • 19.5000
  • 1000:
  • ?
  • Мин.:
  • 1
  • Кратн.:
  • 1
10509 PTF180101M Infineon Транз. Пол. БМ ВЧ LDMOS PG-RFP-10 (TSSOP10 SMD) 10 W 1.0-2.0 GHz Udss=65V Id=0.001A Rds=0.83Ohm
  • 1:
  • 19.5000
  • 10:
  • 17.7400
  • 100:
  • 16.1400
  • 1000:
  • ?
  • Мин.:
  • 1
  • Кратн.:
  • 1
10600 ATF-541M4-BLK Avago "Транз. Пол. СВЧ PHEMT; 0.45-10GHz; MiniPak 1,4x1,2 mm; @(2.0 GHz, 3V, 60 mA): P-1dB=21.4 dBm, IP3=35.8 dBm, Nf=0.5 dB"
  • 1:
  • 3.8500
  • 10:
  • 3.5000
  • 100:
  • 3.2000
  • 1000:
  • ?
  • Мин.:
  • 1
  • Кратн.:
  • 1
10630 FPD1500SOT89 Filtronic Транз. Пол. ВЧ малошум. SOT89 PHEMT P1dB=27,5 dBm, Gss=17 dB, Nf=1,2 dB, IP3=42dBm, PAE=50% @ 1850 MHz
  • 1:
  • 9.0000
  • 10:
  • 8.2000
  • 100:
  • 7.6500
  • 1000:
  • ?
  • Мин.:
  • 1
  • Кратн.:
  • 1
10757 FP31QF WJ Communication Транз. Пол. СВЧ 2 W HFET 50-4000 MHz QFN
  • 1:
  • 17.2400
  • 10:
  • 15.7000
  • 100:
  • 14.5000
  • 1000:
  • ?
  • Мин.:
  • 1
  • Кратн.:
  • 1
10758 FP2189-G WJ Communication Транз. Пол. СВЧ 1 W HFET 50-4000 MHZ SOT89
  • 1:
  • 12.6000
  • 10:
  • 11.0000
  • 100:
  • 10.0000
  • 1000:
  • ?
  • Мин.:
  • 1
  • Кратн.:
  • 1
10759 PD57030 STM RF power FET 30 W Fup=1 GHz, Gain=13 dB @ 945 MHz
  • 1:
  • 0.0000
  • 10:
  • 0.0000
  • 100:
  • 0.0000
  • 1000:
  • ?
  • Мин.:
  • 1
  • Кратн.:
  • 1
10769 FPD6836P70 RFMD "Транз. Пол. СВЧ GaAs PHEMT; DC-20GHz; P70; @(15.0 GHz, 5V, 50%Idss): P-1dB=23.0 dBm, G-1dB=12.0 dB, IP3=35.0 dBm, Nf=1.5 dB; Idss=106..125 mA; PAE=50%"
  • 1:
  • 12.5000
  • 10:
  • 11.4000
  • 100:
  • 10.6500
  • 1000:
  • ?
  • Мин.:
  • 1
  • Кратн.:
  • 1
10805 MRF10120 MACOM Транз. бипол. NPN ВЧ 960-1215 MHz 120 W
  • 1:
  • 176.0000
  • 10:
  • 0.0000
  • 100:
  • 0.0000
  • 1000:
  • ?
  • Мин.:
  • 1
  • Кратн.:
  • 1
10806 PD57030S-E STM RF power FET 30 W Fup=1 GHz, Gain=13 dB @ 945 MHz
  • 1:
  • 51.9000
  • 10:
  • 48.0600
  • 100:
  • 43.7000
  • 1000:
  • ?
  • Мин.:
  • 1
  • Кратн.:
  • 1
10827 ATF-54143-BLKG Avago "Транз. Пол. СВЧ PHEMT; 0.45-6GHz; SOT343; @(2.0 GHz, 3V, 60 mA): P-1dB=20.4 dBm, IP3=36.2 dBm, Nf=0.5 dB; Idss=1 mkA Lead Free"
  • 1:
  • 4.5000
  • 10:
  • 4.0500
  • 100:
  • 3.7000
  • 1000:
  • ?
  • Мин.:
  • 1
  • Кратн.:
  • 1
10897 TC2381 Transcom Транз. пол. СВЧ GaAs Ga=9 dB, P1dB=24 dBm, Nf=0,9 dB @ 12 GHz
  • 1:
  • 9.8200
  • 10:
  • 8.9300
  • 100:
  • 8.2600
  • 1000:
  • ?
  • Мин.:
  • 1
  • Кратн.:
  • 1
10898 TC2181 Transcom Транз. пол. СВЧ GaAs Ga=12 dB, P1dB=18 dBm, Nf=0,5 dB @ 12 GHz
  • 1:
  • 4.9400
  • 10:
  • 4.4800
  • 100:
  • 4.0800
  • 1000:
  • ?
  • Мин.:
  • 1
  • Кратн.:
  • 1
10899 TC2281 Transcom Транз. пол. СВЧ GaAs Ga=12 dB, P1dB=22 dBm, Nf=0,5 dB @ 12 GHz
  • 1:
  • 8.5000
  • 10:
  • 7.7500
  • 100:
  • 7.2000
  • 1000:
  • ?
  • Мин.:
  • 1
  • Кратн.:
  • 1
10927 EPA060B-70 Excelics "Транз. Пол. СВЧ GaAs PHEMT; DC-18GHz; P70;( P1dB=25.5 dBm, G1dB=9,0 dB, Idss=110..250 mA; PAE=45%; Nf=0,6 dB @ 12GHz)"
  • 1:
  • 13.4000
  • 10:
  • 12.2000
  • 100:
  • 11.1000
  • 1000:
  • ?
  • Мин.:
  • 1
  • Кратн.:
  • 1
10928 EPA080A-70 Excelics "Транз. Пол. СВЧ GaAs PHEMT; DC-18GHz; P70;( P1dB=25.5 dBm, G1dB=7,0 dB, Idss=130..320 mA; PAE=40%; @ 12GHz)"
  • 1:
  • 20.1000
  • 10:
  • 18.8000
  • 100:
  • 17.4000
  • 1000:
  • ?
  • Мин.:
  • 1
  • Кратн.:
  • 1
  • Товаров на странице: